Download Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente by Jörg Schulze PDF

By Jörg Schulze

Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS-Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal- und Quasivertikalkonzepte.

Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS-Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor stützt sich auf ein umfängliches Quellenmaterial, das in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurde. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden, und untersucht die Relevanz, die (quasi)vertikale Konzepte für die siliziumbasierte MOS-Technologie erlangen können.

Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.

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Eine VTC-Dotierung etabliert. 1 Der CMOS-Inverter für Logikschaltungen 47 Log ISD(VG, VSD) / A sogenannten „Charge Sharing“). Weiterhin erkennt man, dass die zu invertierende akkumulierte Ladungsmenge QMOS-RLZ in der Raumladungszone der MOS-Elektrode (MOS-RLZ) relativ zur ortsfesten Ladungsmenge Qpn-RLZ der kanalseitigen Raumladungszonen (pn-RLZ) der beiden pn-Übergänge zwischen Source und dem Kanalgebiet bzw. zwischen dem Kanalgebiet und Drain durch die physikalische Verkleinerung stärker reduziert wird.

20) In Abb. 9. 20) für verschiedene Gate-Spannungen VG dargestellt. Man erkennt, dass die sich ergebenden Parabeln das Ausgangskennlinienfeld in Abb. 7. bis zum Scheitelpunkt richtig wiedergeben. Danach weicht das errechnete Kennlinienfeld deutlich vom tatsächlichen Verlauf ab (ab dem Scheitelpunkt bleibt der Source-Drain-Strom ISD unabhängig von der Source-Drain-Spannung VSD konstant). 20) gelieferten Werte müssen in diesem Bereich verworfen werden. Die Scheitelpunkte der Parabeln liegen selbst auf einer Parabel, die sich aus der Forderung 1 Logik- und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET-Verhalten ISD(VSD, VG) / A 40 Abb.

Man erkennt, dass die sich ergebenden Parabeln das Ausgangskennlinienfeld in Abb. 7. bis zum Scheitelpunkt richtig wiedergeben. Danach weicht das errechnete Kennlinienfeld deutlich vom tatsächlichen Verlauf ab (ab dem Scheitelpunkt bleibt der Source-Drain-Strom ISD unabhängig von der Source-Drain-Spannung VSD konstant). 20) gelieferten Werte müssen in diesem Bereich verworfen werden. Die Scheitelpunkte der Parabeln liegen selbst auf einer Parabel, die sich aus der Forderung 1 Logik- und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET-Verhalten ISD(VSD, VG) / A 40 Abb.

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